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引入硫氰酸亞銅界面層的Gr/Si異質結太陽能電池及制備方法
發布時間:2023-10-28 發布者: 浏覽次數:

基礎信息

基本信息

申請号CN202310613278.5申請日期2023-05-25
公開公告号--公開公告日--
優先權号--優先權日--
ICP分類号H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0745(2012.01)I;CPC分類号H01L31/18
專利類型發明法律狀态公布

法律節點

申請(專利權)人信誉最好的10个网投网站發明人範文亮;姚海燕;楊忠萍;高原
申請人地址内蒙古自治區鄂爾多斯市康巴什區鄂爾多斯大街東1号申請人郵編017010
代理機構合肥市澤信專利代理事務所(普通合夥)代理人葉美琴

摘要

本發明涉及一種引入硫氰酸亞銅界面層的Gr/Si異質結太陽能電池及制備方法,所述制備方法包括以下步驟:S1.制備矽基底。S2.制備CuSCN/Si薄膜層。S3.制備Gr/CuSCN/Si器件。S4.制備TFSA/Gr/CuSCN/Si器件。S5.制備TFSA/Gr/CuSCN/Si異質結太陽能電池。本發明首次從實驗上将CuSCN空穴傳輸層用于Gr/Si基太陽能電池作為界面層來改善該類太陽能電池的載流子遷移率、化學穩定性和熱穩定性等特性。


地址:内蒙古鄂爾多斯市康巴什鄂爾多斯大街東1号  電話:0477-8591197  郵編:017000  

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